製造商產品編號:
FDC021N30
Product Overview
製造商:
onsemi
零件編號:
FDC021N30-DG
描述:
MOSFET N-CH 30V 6.1A SUPERSOT6
详细描述:
N-Channel 30 V 6.1A (Ta) 700mW (Ta) Surface Mount SuperSOT™-6
庫存:
12838259
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FDC021N30 技術規格
類別
場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管, 單個FET，MOSFET
製造商
onsemi
包裝
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
系列
PowerTrench®
產品狀態
Obsolete
FET 類型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源電壓 （Vdss）
30 V
電流 - 連續漏極 （Id） @ 25°C
6.1A (Ta)
驅動電壓（最大 rds on，最小 rds on）
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
26mOhm @ 6.1A, 10V
Vgs（th） （最大值） @ Id
3V @ 250µA
柵極電荷 （Qg） （Max） @ Vgs
10.8 nC @ 10 V
Vgs （最大值）
±20V
輸入電容 （Ciss） （Max） @ Vds
710 pF @ 15 V
FET 特性
-
功率耗散（最大值）
700mW (Ta)
工作溫度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型
Surface Mount
供應商設備包
SuperSOT™-6
包裝 / 外殼
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
基本產品編號
FDC021
資料表及文件
額外資訊
標準套餐
3,000
其他名稱
FDC021N30DKR
FDC021N30CT
2832-FDC021N30TR
FDC021N30TR
2832-FDC021N30-488
環境及出口分類
RoHS 狀態
ROHS3 Compliant
濕氣敏感度等級 （MSL）
1 (Unlimited)
REACH 狀態
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
替代模型
DIGI 認證
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