製造商產品編號:
FDB8870-F085
Product Overview
製造商:
onsemi
零件編號:
FDB8870-F085-DG
描述:
MOSFET N-CH 30V 23A/160A TO263AB
详细描述:
N-Channel 30 V 23A (Ta), 160A (Tc) 160W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
庫存:
12922674
請求報價
數量
最低限1
最低限1
(*) 是必填的
我們會在24小時內回覆您
我們會在24小時內回覆您
提交
FDB8870-F085 技術規格
類別
場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管, 單個FET，MOSFET
製造商
onsemi
包裝
-
系列
PowerTrench®
產品狀態
Obsolete
FET 類型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源電壓 （Vdss）
30 V
電流 - 連續漏極 （Id） @ 25°C
23A (Ta), 160A (Tc)
驅動電壓（最大 rds on，最小 rds on）
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
3.9mOhm @ 35A, 10V
Vgs（th） （最大值） @ Id
2.5V @ 250µA
柵極電荷 （Qg） （Max） @ Vgs
132 nC @ 10 V
Vgs （最大值）
±20V
輸入電容 （Ciss） （Max） @ Vds
5200 pF @ 15 V
FET 特性
-
功率耗散（最大值）
160W (Tc)
工作溫度
-55°C ~ 175°C (TJ)
年級
Automotive
資格
AEC-Q101
安裝類型
Surface Mount
供應商設備包
TO-263 (D2PAK)
包裝 / 外殼
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
基本產品編號
FDB887
額外資訊
標準套餐
800
其他名稱
FDB8870_F085-DG
FDB8870_F085TR
FDB8870_F085TR-DG
FDB8870-F085CT
FDB8870-F085TR
FDB8870_F085CT-DG
FDB8870_F085DKR
FDB8870_F085DKR-DG
FDB8870-F085DKR
FDB8870_F085
FDB8870_F085CT
環境及出口分類
濕氣敏感度等級 （MSL）
1 (Unlimited)
REACH 狀態
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
替代模型
部件編號
IRL7833STRLPBF
製造商
Infineon Technologies
可用數量
3883
部件號碼
IRL7833STRLPBF-DG
單位價格
0.88
替代類型
Similar
部件編號
PSMN4R3-30BL,118
製造商
Nexperia USA Inc.
可用數量
9945
部件號碼
PSMN4R3-30BL,118-DG
單位價格
0.58
替代類型
Similar
DIGI 認證
相關產品
NVTJD4401NT1G
MOSFET N-CH 20V 0.63A SC-88
NTE2398
MOSFET N-CHANNEL 500V 4.5A TO220
TSM60NC620CH C5G
600V, 7A, SINGLE N-CHANNEL POWER
