製造商產品編號:
FDB8030L
Product Overview
製造商:
onsemi
零件編號:
FDB8030L-DG
描述:
MOSFET N-CH 30V 80A TO263AB
详细描述:
N-Channel 30 V 80A (Ta) 187W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
庫存:
12839739
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FDB8030L 技術規格
類別
場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管, 單個FET，MOSFET
製造商
onsemi
包裝
-
系列
PowerTrench®
產品狀態
Obsolete
FET 類型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源電壓 （Vdss）
30 V
電流 - 連續漏極 （Id） @ 25°C
80A (Ta)
驅動電壓（最大 rds on，最小 rds on）
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
3.5mOhm @ 80A, 10V
Vgs（th） （最大值） @ Id
2V @ 250µA
柵極電荷 （Qg） （Max） @ Vgs
170 nC @ 5 V
Vgs （最大值）
±20V
輸入電容 （Ciss） （Max） @ Vds
10500 pF @ 15 V
FET 特性
-
功率耗散（最大值）
187W (Tc)
工作溫度
-65°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型
Surface Mount
供應商設備包
TO-263 (D2PAK)
包裝 / 外殼
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
基本產品編號
FDB803
資料表及文件
額外資訊
標準套餐
800
其他名稱
2832-FDB8030LTR
FDB8030LDKR
FDB8030LTR
FDB8030LCT
環境及出口分類
RoHS 狀態
ROHS3 Compliant
濕氣敏感度等級 （MSL）
1 (Unlimited)
REACH 狀態
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
替代模型
部件編號
IPB80N04S204ATMA2
製造商
Infineon Technologies
可用數量
6463
部件號碼
IPB80N04S204ATMA2-DG
單位價格
1.75
替代類型
Similar
部件編號
PSMN4R3-30BL,118
製造商
Nexperia USA Inc.
可用數量
9945
部件號碼
PSMN4R3-30BL,118-DG
單位價格
0.58
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