製造商產品編號:
FDB5645
Product Overview
製造商:
onsemi
零件編號:
FDB5645-DG
描述:
MOSFET N-CH 60V 80A D2PAK
详细描述:
N-Channel 60 V 80A (Ta) 125W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
庫存:
12838832
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FDB5645 技術規格
類別
場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管, 單個FET，MOSFET
製造商
onsemi
包裝
-
系列
PowerTrench®
產品狀態
Obsolete
FET 類型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源電壓 （Vdss）
60 V
電流 - 連續漏極 （Id） @ 25°C
80A (Ta)
驅動電壓（最大 rds on，最小 rds on）
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
9.5mOhm @ 40A, 10V
Vgs（th） （最大值） @ Id
4V @ 250µA
柵極電荷 （Qg） （Max） @ Vgs
107 nC @ 10 V
Vgs （最大值）
±20V
輸入電容 （Ciss） （Max） @ Vds
4468 pF @ 30 V
FET 特性
-
功率耗散（最大值）
125W (Tc)
工作溫度
-65°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型
Surface Mount
供應商設備包
TO-263 (D2PAK)
包裝 / 外殼
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
基本產品編號
FDB564
額外資訊
標準套餐
800
環境及出口分類
濕氣敏感度等級 （MSL）
1 (Unlimited)
REACH 狀態
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
替代模型
部件編號
IPB081N06L3GATMA1
製造商
Infineon Technologies
可用數量
5151
部件號碼
IPB081N06L3GATMA1-DG
單位價格
0.57
替代類型
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部件編號
IPB80N06S209ATMA2
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單位價格
1.07
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