FDB5645
製造商產品編號:

FDB5645

Product Overview

製造商:

onsemi

零件編號:

FDB5645-DG

描述:

MOSFET N-CH 60V 80A D2PAK
详细描述:
N-Channel 60 V 80A (Ta) 125W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)

庫存:

12838832
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FDB5645 技術規格

類別
場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管, 單個FET,MOSFET
製造商
onsemi
包裝
-
系列
PowerTrench®
產品狀態
Obsolete
FET 類型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源電壓 (Vdss)
60 V
電流 - 連續漏極 (Id) @ 25°C
80A (Ta)
驅動電壓(最大 rds on,最小 rds on)
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
9.5mOhm @ 40A, 10V
Vgs(th) (最大值) @ Id
4V @ 250µA
柵極電荷 (Qg) (Max) @ Vgs
107 nC @ 10 V
Vgs (最大值)
±20V
輸入電容 (Ciss) (Max) @ Vds
4468 pF @ 30 V
FET 特性
-
功率耗散(最大值)
125W (Tc)
工作溫度
-65°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型
Surface Mount
供應商設備包
TO-263 (D2PAK)
包裝 / 外殼
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
基本產品編號
FDB564

額外資訊

標準套餐
800

環境及出口分類

濕氣敏感度等級 (MSL)
1 (Unlimited)
REACH 狀態
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

替代模型

部件編號
IPB081N06L3GATMA1
製造商
Infineon Technologies
可用數量
5151
部件號碼
IPB081N06L3GATMA1-DG
單位價格
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