製造商產品編號:
FDB029N06
Product Overview
製造商:
onsemi
零件編號:
FDB029N06-DG
描述:
MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK
详细描述:
N-Channel 60 V 120A (Tc) 231W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
庫存:
12846168
請求報價
數量
最低限1
最低限1
(*) 是必填的
我們會在24小時內回覆您
我們會在24小時內回覆您
提交
FDB029N06 技術規格
類別
場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管, 單個FET，MOSFET
製造商
onsemi
包裝
Tape & Reel (TR)
系列
PowerTrench®
產品狀態
Last Time Buy
FET 類型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源電壓 （Vdss）
60 V
電流 - 連續漏極 （Id） @ 25°C
120A (Tc)
驅動電壓（最大 rds on，最小 rds on）
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
3.1mOhm @ 75A, 10V
Vgs（th） （最大值） @ Id
4.5V @ 250µA
柵極電荷 （Qg） （Max） @ Vgs
151 nC @ 10 V
Vgs （最大值）
±20V
輸入電容 （Ciss） （Max） @ Vds
9815 pF @ 25 V
FET 特性
-
功率耗散（最大值）
231W (Tc)
工作溫度
-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型
Surface Mount
供應商設備包
TO-263 (D2PAK)
包裝 / 外殼
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
基本產品編號
FDB029
資料表及文件
額外資訊
標準套餐
800
其他名稱
FDB029N06DKR
FDB029N06CT
FDB029N06TR
2156-FDB029N06-488
環境及出口分類
RoHS 狀態
ROHS3 Compliant
濕氣敏感度等級 （MSL）
1 (Unlimited)
REACH 狀態
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
替代模型
部件編號
PSMN1R7-60BS,118
製造商
Nexperia USA Inc.
可用數量
5180
部件號碼
PSMN1R7-60BS,118-DG
單位價格
1.48
替代類型
Similar
部件編號
IPB029N06N3GATMA1
製造商
Infineon Technologies
可用數量
29422
部件號碼
IPB029N06N3GATMA1-DG
單位價格
0.82
替代類型
Similar
部件編號
SQM120N06-3M5L_GE3
製造商
Vishay Siliconix
可用數量
693
部件號碼
SQM120N06-3M5L_GE3-DG
單位價格
1.86
替代類型
Similar
DIGI 認證
相關產品
