製造商產品編號:
FCPF190N65S3R0L
Product Overview
製造商:
onsemi
零件編號:
FCPF190N65S3R0L-DG
描述:
MOSFET N-CH 650V 17A TO220F-3
详细描述:
N-Channel 650 V 17A (Tc) 144W (Tc) Through Hole TO-220F-3
庫存:
12838868
請求報價
數量
最低限1
最低限1
(*) 是必填的
我們會在24小時內回覆您
我們會在24小時內回覆您
提交
FCPF190N65S3R0L 技術規格
類別
場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管, 單個FET，MOSFET
製造商
onsemi
包裝
-
系列
SuperFET® III
產品狀態
Obsolete
FET 類型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源電壓 （Vdss）
650 V
電流 - 連續漏極 （Id） @ 25°C
17A (Tc)
驅動電壓（最大 rds on，最小 rds on）
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
190mOhm @ 8.5A, 10V
Vgs（th） （最大值） @ Id
4.5V @ 1.7mA
柵極電荷 （Qg） （Max） @ Vgs
33 nC @ 10 V
Vgs （最大值）
±30V
輸入電容 （Ciss） （Max） @ Vds
1350 pF @ 400 V
FET 特性
-
功率耗散（最大值）
144W (Tc)
工作溫度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型
Through Hole
供應商設備包
TO-220F-3
包裝 / 外殼
TO-220-3 Full Pack
基本產品編號
FCPF190
資料表及文件
額外資訊
標準套餐
50
其他名稱
FCPF190N65S3R0LOS
FCPF190N65S3R0L-DG
ONSONSFCPF190N65S3R0L
2156-FCPF190N65S3R0L-OS
環境及出口分類
濕氣敏感度等級 （MSL）
Not Applicable
REACH 狀態
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
替代模型
部件編號
IPA60R190P6XKSA1
製造商
Infineon Technologies
可用數量
188
部件號碼
IPA60R190P6XKSA1-DG
單位價格
1.19
替代類型
Similar
部件編號
IPAW60R180P7SXKSA1
製造商
Infineon Technologies
可用數量
451
部件號碼
IPAW60R180P7SXKSA1-DG
單位價格
0.69
替代類型
Similar
部件編號
IPA60R180P7XKSA1
製造商
Infineon Technologies
可用數量
484
部件號碼
IPA60R180P7XKSA1-DG
單位價格
1.07
替代類型
Similar
DIGI 認證
相關產品
FQD4N50TF
MOSFET N-CH 500V 2.6A DPAK
FQD13N10TF
MOSFET N-CH 100V 10A DPAK
FCPF11N65_G
INTEGRATED CIRCUIT
