製造商產品編號:
FCPF165N65S3R0L
Product Overview
製造商:
onsemi
零件編號:
FCPF165N65S3R0L-DG
描述:
MOSFET N-CH 650V 19A TO220F-3
详细描述:
N-Channel 650 V 19A (Tc) 35W (Tc) Through Hole TO-220F-3
庫存:
12848089
請求報價
數量
最低限1
最低限1
(*) 是必填的
我們會在24小時內回覆您
我們會在24小時內回覆您
提交
FCPF165N65S3R0L 技術規格
類別
場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管, 單個FET，MOSFET
製造商
onsemi
包裝
-
系列
SuperFET® III
產品狀態
Obsolete
FET 類型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源電壓 （Vdss）
650 V
電流 - 連續漏極 （Id） @ 25°C
19A (Tc)
驅動電壓（最大 rds on，最小 rds on）
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
165mOhm @ 9.5A, 10V
Vgs（th） （最大值） @ Id
4.5V @ 1.9mA
柵極電荷 （Qg） （Max） @ Vgs
35 nC @ 10 V
Vgs （最大值）
±30V
輸入電容 （Ciss） （Max） @ Vds
1415 pF @ 400 V
FET 特性
-
功率耗散（最大值）
35W (Tc)
工作溫度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型
Through Hole
供應商設備包
TO-220F-3
包裝 / 外殼
TO-220-3 Full Pack
基本產品編號
FCPF165
資料表及文件
額外資訊
標準套餐
50
其他名稱
FCPF165N65S3R0L-DG
FCPF165N65S3R0LOS
2156-FCPF165N65S3R0L-488
2832-FCPF165N65S3R0L
環境及出口分類
濕氣敏感度等級 （MSL）
Not Applicable
REACH 狀態
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
替代模型
部件編號
IPA60R120P7XKSA1
製造商
Infineon Technologies
可用數量
188
部件號碼
IPA60R120P7XKSA1-DG
單位價格
1.49
替代類型
Similar
DIGI 認證
相關產品
FDD2572
MOSFET N-CH 150V 4A/29A TO252AA
FDA38N30
MOSFET N-CH 300V 38A TO3PN
FQD13N06LTM
MOSFET N-CH 60V 11A DPAK
