製造商產品編號:
FCPF11N60NT
Product Overview
製造商:
onsemi
零件編號:
FCPF11N60NT-DG
描述:
MOSFET N-CH 600V 10.8A TO220F
详细描述:
N-Channel 600 V 10.8A (Tc) 32.1W (Tc) Through Hole TO-220F-3
庫存:
12849117
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FCPF11N60NT 技術規格
類別
場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管, 單個FET，MOSFET
製造商
onsemi
包裝
-
系列
SuperMOS™
產品狀態
Obsolete
FET 類型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源電壓 （Vdss）
600 V
電流 - 連續漏極 （Id） @ 25°C
10.8A (Tc)
驅動電壓（最大 rds on，最小 rds on）
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
299mOhm @ 5.4A, 10V
Vgs（th） （最大值） @ Id
4V @ 250µA
柵極電荷 （Qg） （Max） @ Vgs
35.6 nC @ 10 V
Vgs （最大值）
±30V
輸入電容 （Ciss） （Max） @ Vds
1505 pF @ 100 V
FET 特性
-
功率耗散（最大值）
32.1W (Tc)
工作溫度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型
Through Hole
供應商設備包
TO-220F-3
包裝 / 外殼
TO-220-3 Full Pack
基本產品編號
FCPF11
資料表及文件
額外資訊
標準套餐
50
環境及出口分類
RoHS 狀態
ROHS3 Compliant
濕氣敏感度等級 （MSL）
Not Applicable
REACH 狀態
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
替代模型
部件編號
TK10A60W,S4VX
製造商
Toshiba Semiconductor and Storage
可用數量
49
部件號碼
TK10A60W,S4VX-DG
單位價格
1.16
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