FCPF11N60F
製造商產品編號:

FCPF11N60F

Product Overview

製造商:

onsemi

零件編號:

FCPF11N60F-DG

描述:

MOSFET N-CH 600V 11A TO220F
详细描述:
N-Channel 600 V 11A (Tc) 36W (Tc) Through Hole TO-220F-3

庫存:

998 全新原裝現貨
12846041
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FCPF11N60F 技術規格

類別
場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管, 單個FET,MOSFET
製造商
onsemi
包裝
Tube
系列
SuperFET™
產品狀態
Not For New Designs
FET 類型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源電壓 (Vdss)
600 V
電流 - 連續漏極 (Id) @ 25°C
11A (Tc)
驅動電壓(最大 rds on,最小 rds on)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
380mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs(th) (最大值) @ Id
5V @ 250µA
柵極電荷 (Qg) (Max) @ Vgs
52 nC @ 10 V
Vgs (最大值)
±30V
輸入電容 (Ciss) (Max) @ Vds
1490 pF @ 25 V
FET 特性
-
功率耗散(最大值)
36W (Tc)
工作溫度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型
Through Hole
供應商設備包
TO-220F-3
包裝 / 外殼
TO-220-3 Full Pack
基本產品編號
FCPF11

資料表及文件

HTML 資料表
資料表
數據表

額外資訊

標準套餐
50

環境及出口分類

RoHS 狀態
ROHS3 Compliant
濕氣敏感度等級 (MSL)
Not Applicable
REACH 狀態
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

替代模型

部件編號
R6007ENX
製造商
Rohm Semiconductor
可用數量
129
部件號碼
R6007ENX-DG
單位價格
0.92
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1.58
替代類型
Parametric Equivalent
DIGI 認證
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