製造商產品編號:
FCP260N65S3
Product Overview
製造商:
onsemi
零件編號:
FCP260N65S3-DG
描述:
MOSFET N-CH 650V 12A TO220-3
详细描述:
N-Channel 650 V 12A (Tc) 90W (Tc) Through Hole TO-220-3
庫存:
12850973
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FCP260N65S3 技術規格
類別
場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管, 單個FET，MOSFET
製造商
onsemi
包裝
Tube
系列
SuperFET® III
產品狀態
Not For New Designs
FET 類型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源電壓 （Vdss）
650 V
電流 - 連續漏極 （Id） @ 25°C
12A (Tc)
驅動電壓（最大 rds on，最小 rds on）
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
260mOhm @ 6A, 10V
Vgs（th） （最大值） @ Id
4.5V @ 1.2mA
柵極電荷 （Qg） （Max） @ Vgs
24 nC @ 10 V
Vgs （最大值）
±30V
輸入電容 （Ciss） （Max） @ Vds
1010 pF @ 400 V
FET 特性
-
功率耗散（最大值）
90W (Tc)
工作溫度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型
Through Hole
供應商設備包
TO-220-3
包裝 / 外殼
TO-220-3
基本產品編號
FCP260
資料表及文件
額外資訊
標準套餐
50
環境及出口分類
RoHS 狀態
ROHS3 Compliant
濕氣敏感度等級 （MSL）
Not Applicable
REACH 狀態
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
替代模型
部件編號
TK14E65W,S1X
製造商
Toshiba Semiconductor and Storage
可用數量
50
部件號碼
TK14E65W,S1X-DG
單位價格
1.25
替代類型
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