製造商產品編號:
FCP190N60-GF102
Product Overview
製造商:
onsemi
零件編號:
FCP190N60-GF102-DG
描述:
MOSFET N-CH 600V 20.2A TO220-3
详细描述:
N-Channel 600 V 20.2A (Tc) 208W (Tc) Through Hole TO-220-3
庫存:
12847012
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FCP190N60-GF102 技術規格
類別
場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管, 單個FET，MOSFET
製造商
onsemi
包裝
-
系列
SuperFET® II
產品狀態
Obsolete
FET 類型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源電壓 （Vdss）
600 V
電流 - 連續漏極 （Id） @ 25°C
20.2A (Tc)
驅動電壓（最大 rds on，最小 rds on）
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
199mOhm @ 10A, 10V
Vgs（th） （最大值） @ Id
3.5V @ 250µA
柵極電荷 （Qg） （Max） @ Vgs
74 nC @ 10 V
Vgs （最大值）
±20V
輸入電容 （Ciss） （Max） @ Vds
2950 pF @ 25 V
FET 特性
-
功率耗散（最大值）
208W (Tc)
工作溫度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型
Through Hole
供應商設備包
TO-220-3
包裝 / 外殼
TO-220-3
基本產品編號
FCP190
資料表及文件
額外資訊
標準套餐
800
其他名稱
FCP190N60_GF102
FCP190N60_GF102-DG
環境及出口分類
RoHS 狀態
ROHS3 Compliant
濕氣敏感度等級 （MSL）
Not Applicable
REACH 狀態
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
替代模型
部件編號
IPP60R180P7XKSA1
製造商
Infineon Technologies
可用數量
0
部件號碼
IPP60R180P7XKSA1-DG
單位價格
1.05
替代類型
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