製造商產品編號:
FCP110N65F
Product Overview
製造商:
onsemi
零件編號:
FCP110N65F-DG
描述:
MOSFET N-CH 650V 35A TO220-3
详细描述:
N-Channel 650 V 35A (Tc) 357W (Tc) Through Hole TO-220-3
庫存:
800 全新原裝現貨
12850590
請求報價
數量
最低限1
最低限1
(*) 是必填的
我們會在24小時內回覆您
我們會在24小時內回覆您
提交
FCP110N65F 技術規格
類別
場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管, 單個FET，MOSFET
製造商
onsemi
包裝
Tube
系列
FRFET®, SuperFET® II
產品狀態
Not For New Designs
FET 類型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源電壓 （Vdss）
650 V
電流 - 連續漏極 （Id） @ 25°C
35A (Tc)
驅動電壓（最大 rds on，最小 rds on）
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
110mOhm @ 17.5A, 10V
Vgs（th） （最大值） @ Id
5V @ 3.5mA
柵極電荷 （Qg） （Max） @ Vgs
145 nC @ 10 V
Vgs （最大值）
±20V
輸入電容 （Ciss） （Max） @ Vds
4895 pF @ 100 V
FET 特性
-
功率耗散（最大值）
357W (Tc)
工作溫度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型
Through Hole
供應商設備包
TO-220-3
包裝 / 外殼
TO-220-3
基本產品編號
FCP110
資料表及文件
額外資訊
標準套餐
50
其他名稱
FCP110N65FOS
FCP110N65F-DG
環境及出口分類
RoHS 狀態
ROHS3 Compliant
濕氣敏感度等級 （MSL）
Not Applicable
REACH 狀態
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
替代模型
部件編號
FCH110N65F-F155
製造商
Fairchild Semiconductor
可用數量
69
部件號碼
FCH110N65F-F155-DG
單位價格
4.26
替代類型
Parametric Equivalent
DIGI 認證
相關產品
R6004END3TL1
MOSFET N-CH 600V 4A TO252
FQH18N50V2
MOSFET N-CH 500V 20A TO247-3
FDMC8622
MOSFET N-CH 100V 4A/16A 8MLP
