FCP110N65F
製造商產品編號:

FCP110N65F

Product Overview

製造商:

onsemi

零件編號:

FCP110N65F-DG

描述:

MOSFET N-CH 650V 35A TO220-3
详细描述:
N-Channel 650 V 35A (Tc) 357W (Tc) Through Hole TO-220-3

庫存:

800 全新原裝現貨
12850590
請求報價
數量
最低限1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) 是必填的
我們會在24小時內回覆您
提交

FCP110N65F 技術規格

類別
場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管, 單個FET,MOSFET
製造商
onsemi
包裝
Tube
系列
FRFET®, SuperFET® II
產品狀態
Not For New Designs
FET 類型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源電壓 (Vdss)
650 V
電流 - 連續漏極 (Id) @ 25°C
35A (Tc)
驅動電壓(最大 rds on,最小 rds on)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
110mOhm @ 17.5A, 10V
Vgs(th) (最大值) @ Id
5V @ 3.5mA
柵極電荷 (Qg) (Max) @ Vgs
145 nC @ 10 V
Vgs (最大值)
±20V
輸入電容 (Ciss) (Max) @ Vds
4895 pF @ 100 V
FET 特性
-
功率耗散(最大值)
357W (Tc)
工作溫度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型
Through Hole
供應商設備包
TO-220-3
包裝 / 外殼
TO-220-3
基本產品編號
FCP110

資料表及文件

HTML 資料表
資料表
數據表

額外資訊

標準套餐
50
其他名稱
FCP110N65FOS
FCP110N65F-DG

環境及出口分類

RoHS 狀態
ROHS3 Compliant
濕氣敏感度等級 (MSL)
Not Applicable
REACH 狀態
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

替代模型

部件編號
STP30N65M5
製造商
STMicroelectronics
可用數量
5189
部件號碼
STP30N65M5-DG
單位價格
3.17
替代類型
Similar
部件編號
FCH110N65F-F155
製造商
Fairchild Semiconductor
可用數量
69
部件號碼
FCH110N65F-F155-DG
單位價格
4.26
替代類型
Parametric Equivalent
部件編號
STP40N65M2
製造商
STMicroelectronics
可用數量
37
部件號碼
STP40N65M2-DG
單位價格
2.57
替代類型
Similar
部件編號
STP35N60DM2
製造商
STMicroelectronics
可用數量
0
部件號碼
STP35N60DM2-DG
單位價格
2.54
替代類型
Similar
DIGI 認證
相關產品
rohm-semi

R6004END3TL1

MOSFET N-CH 600V 4A TO252

onsemi

FQH18N50V2

MOSFET N-CH 500V 20A TO247-3

onsemi

FDMC8622

MOSFET N-CH 100V 4A/16A 8MLP

onsemi

FDU3706

MOSFET N-CH 20V 14.7A/50A IPAK