FCP067N65S3
製造商產品編號:

FCP067N65S3

Product Overview

製造商:

onsemi

零件編號:

FCP067N65S3-DG

描述:

MOSFET N-CH 650V 44A TO220
详细描述:
N-Channel 650 V 44A (Tc) 312W (Tc) Through Hole TO-220

庫存:

2031 全新原裝現貨
12837318
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FCP067N65S3 技術規格

類別
場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管, 單個FET，MOSFET
製造商
onsemi
包裝
Tube
系列
SuperFET® III
產品狀態
Not For New Designs
FET 類型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源電壓 （Vdss）
650 V
電流 - 連續漏極 （Id） @ 25°C
44A (Tc)
驅動電壓（最大 rds on，最小 rds on）
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
67mOhm @ 22A, 10V
Vgs（th） （最大值） @ Id
4.5V @ 4.4mA
柵極電荷 （Qg） （Max） @ Vgs
78 nC @ 10 V
Vgs （最大值）
±30V
輸入電容 （Ciss） （Max） @ Vds
3090 pF @ 400 V
FET 特性
-
功率耗散（最大值）
312W (Tc)
工作溫度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型
Through Hole
供應商設備包
TO-220
包裝 / 外殼
TO-220-3
基本產品編號
FCP067

資料表及文件

HTML 資料表
FCP067N65S3-DG
資料表
FCP067N65S3
數據表
FCP067N65S3 Datasheet

額外資訊

標準套餐
50

環境及出口分類

RoHS 狀態
ROHS3 Compliant
濕氣敏感度等級 （MSL）
Not Applicable
REACH 狀態
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

替代模型

部件編號
SIHP065N60E-GE3
製造商
Vishay Siliconix
可用數量
952
部件號碼
SIHP065N60E-GE3-DG
單位價格
3.49
替代類型
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DIGI 認證
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