FCMT360N65S3
製造商產品編號:

FCMT360N65S3

Product Overview

製造商:

onsemi

零件編號:

FCMT360N65S3-DG

描述:

MOSFET N-CH 650V 10A 4PQFN
详细描述:
N-Channel 650 V 10A (Tc) 83W (Tc) Surface Mount 4-PQFN (8x8)

庫存:

12840199
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FCMT360N65S3 技術規格

類別
場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管, 單個FET,MOSFET
製造商
onsemi
包裝
Tape & Reel (TR)
系列
SuperFET® III
產品狀態
Not For New Designs
FET 類型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源電壓 (Vdss)
650 V
電流 - 連續漏極 (Id) @ 25°C
10A (Tc)
驅動電壓(最大 rds on,最小 rds on)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
360mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th) (最大值) @ Id
4.5V @ 200µA
柵極電荷 (Qg) (Max) @ Vgs
18 nC @ 10 V
Vgs (最大值)
±30V
輸入電容 (Ciss) (Max) @ Vds
730 pF @ 400 V
FET 特性
-
功率耗散(最大值)
83W (Tc)
工作溫度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型
Surface Mount
供應商設備包
4-PQFN (8x8)
包裝 / 外殼
4-PowerTSFN
基本產品編號
FCMT360

資料表及文件

HTML 資料表
資料表
數據表

額外資訊

標準套餐
3,000
其他名稱
FCMT360N65S3OSTR
FCMT360N65S3OSDKR
FCMT360N65S3-DG
FCMT360N65S3OSCT
2156-FCMT360N65S3TR
2832-FCMT360N65S3TR

環境及出口分類

RoHS 狀態
ROHS3 Compliant
濕氣敏感度等級 (MSL)
1 (Unlimited)
REACH 狀態
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI 認證
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