製造商產品編號:
FCH190N65F-F155
Product Overview
製造商:
onsemi
零件編號:
FCH190N65F-F155-DG
描述:
MOSFET N-CH 650V 20.6A TO247
详细描述:
N-Channel 650 V 20.6A (Tc) 208W (Tc) Through Hole TO-247-3
庫存:
415 全新原裝現貨
12848196
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FCH190N65F-F155 技術規格
類別
場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管, 單個FET，MOSFET
製造商
onsemi
包裝
Tube
系列
FRFET®, SuperFET® II
產品狀態
Not For New Designs
FET 類型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源電壓 （Vdss）
650 V
電流 - 連續漏極 （Id） @ 25°C
20.6A (Tc)
驅動電壓（最大 rds on，最小 rds on）
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
190mOhm @ 10A, 10V
Vgs（th） （最大值） @ Id
5V @ 2mA
柵極電荷 （Qg） （Max） @ Vgs
78 nC @ 10 V
Vgs （最大值）
±20V
輸入電容 （Ciss） （Max） @ Vds
3225 pF @ 100 V
FET 特性
-
功率耗散（最大值）
208W (Tc)
工作溫度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型
Through Hole
供應商設備包
TO-247-3
包裝 / 外殼
TO-247-3
基本產品編號
FCH190
資料表及文件
額外資訊
標準套餐
450
其他名稱
FCH190N65F_F155-DG
FCH190N65F_F155
環境及出口分類
RoHS 狀態
ROHS3 Compliant
濕氣敏感度等級 （MSL）
Not Applicable
REACH 狀態
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
替代模型
部件編號
IPW60R180C7XKSA1
製造商
Infineon Technologies
可用數量
218
部件號碼
IPW60R180C7XKSA1-DG
單位價格
1.58
替代類型
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部件編號
IPW60R165CPFKSA1
製造商
Infineon Technologies
可用數量
200
部件號碼
IPW60R165CPFKSA1-DG
單位價格
2.54
替代類型
Direct
部件編號
TK20N60W,S1VF
製造商
Toshiba Semiconductor and Storage
可用數量
15
部件號碼
TK20N60W,S1VF-DG
單位價格
2.83
替代類型
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