製造商產品編號:
FCH099N65S3_F155
Product Overview
製造商:
onsemi
零件編號:
FCH099N65S3_F155-DG
描述:
MOSFET N-CH 650V 30A TO247-3
详细描述:
N-Channel 650 V 30A (Tc) 227W (Tc) Through Hole TO-247-3
庫存:
12846774
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FCH099N65S3_F155 技術規格
類別
場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管, 單個FET，MOSFET
製造商
onsemi
包裝
-
系列
SuperFET® III
產品狀態
Active
FET 類型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源電壓 （Vdss）
650 V
電流 - 連續漏極 （Id） @ 25°C
30A (Tc)
驅動電壓（最大 rds on，最小 rds on）
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
99mOhm @ 15A, 10V
Vgs（th） （最大值） @ Id
4.5V @ 3mA
柵極電荷 （Qg） （Max） @ Vgs
61 nC @ 10 V
Vgs （最大值）
±30V
輸入電容 （Ciss） （Max） @ Vds
2480 pF @ 400 V
FET 特性
-
功率耗散（最大值）
227W (Tc)
工作溫度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型
Through Hole
供應商設備包
TO-247-3
包裝 / 外殼
TO-247-3
基本產品編號
FCH099
資料表及文件
額外資訊
標準套餐
450
環境及出口分類
RoHS 狀態
ROHS3 Compliant
濕氣敏感度等級 （MSL）
Not Applicable
REACH 狀態
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
替代模型
部件編號
TSM60NB099PW C1G
製造商
Taiwan Semiconductor Corporation
可用數量
2055
部件號碼
TSM60NB099PW C1G-DG
單位價格
4.18
替代類型
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