製造商產品編號:
FCD4N60TM_WS
Product Overview
製造商:
onsemi
零件編號:
FCD4N60TM_WS-DG
描述:
MOSFET N-CH 600V 3.9A DPAK
详细描述:
N-Channel 600 V 3.9A (Tc) 50W (Tc) Surface Mount TO-252AA
庫存:
12847752
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FCD4N60TM_WS 技術規格
類別
場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管, 單個FET，MOSFET
製造商
onsemi
包裝
-
系列
SuperFET™
產品狀態
Obsolete
FET 類型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源電壓 （Vdss）
600 V
電流 - 連續漏極 （Id） @ 25°C
3.9A (Tc)
驅動電壓（最大 rds on，最小 rds on）
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.2Ohm @ 2A, 10V
Vgs（th） （最大值） @ Id
5V @ 250µA
柵極電荷 （Qg） （Max） @ Vgs
16.6 nC @ 10 V
Vgs （最大值）
±30V
輸入電容 （Ciss） （Max） @ Vds
540 pF @ 25 V
FET 特性
-
功率耗散（最大值）
50W (Tc)
工作溫度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型
Surface Mount
供應商設備包
TO-252AA
包裝 / 外殼
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
基本產品編號
FCD4
資料表及文件
額外資訊
標準套餐
2,500
其他名稱
FCD4N60TM_WSTR
FCD4N60TM_WSCT
FCD4N60TM_WSDKR
環境及出口分類
濕氣敏感度等級 （MSL）
1 (Unlimited)
REACH 狀態
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
替代模型
部件編號
TK6P65W,RQ
製造商
Toshiba Semiconductor and Storage
可用數量
58
部件號碼
TK6P65W,RQ-DG
單位價格
0.47
替代類型
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