製造商產品編號:
FCD2250N80Z
Product Overview
製造商:
onsemi
零件編號:
FCD2250N80Z-DG
描述:
MOSFET N-CH 800V 2.6A DPAK
详细描述:
N-Channel 800 V 2.6A (Tc) 39W (Tc) Surface Mount TO-252AA
庫存:
12839180
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FCD2250N80Z 技術規格
類別
場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管, 單個FET，MOSFET
製造商
onsemi
包裝
Tape & Reel (TR)
系列
SuperFET® II
產品狀態
Not For New Designs
FET 類型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源電壓 （Vdss）
800 V
電流 - 連續漏極 （Id） @ 25°C
2.6A (Tc)
驅動電壓（最大 rds on，最小 rds on）
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
2.25Ohm @ 1.3A, 10V
Vgs（th） （最大值） @ Id
4.5V @ 260µA
柵極電荷 （Qg） （Max） @ Vgs
14 nC @ 10 V
Vgs （最大值）
±20V
輸入電容 （Ciss） （Max） @ Vds
585 pF @ 100 V
FET 特性
-
功率耗散（最大值）
39W (Tc)
工作溫度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型
Surface Mount
供應商設備包
TO-252AA
包裝 / 外殼
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
基本產品編號
FCD2250
資料表及文件
額外資訊
標準套餐
2,500
其他名稱
FCD2250N80ZCT
FCD2250N80ZTR
FCD2250N80ZDKR
環境及出口分類
RoHS 狀態
ROHS3 Compliant
濕氣敏感度等級 （MSL）
1 (Unlimited)
REACH 狀態
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
替代模型
部件編號
IPD80R2K4P7ATMA1
製造商
Infineon Technologies
可用數量
2421
部件號碼
IPD80R2K4P7ATMA1-DG
單位價格
0.29
替代類型
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