製造商產品編號:
EFC6602R-TR
Product Overview
製造商:
onsemi
零件編號:
EFC6602R-TR-DG
描述:
MOSFET 2N-CH EFCP2718
详细描述:
Mosfet Array 2W Surface Mount EFCP2718-6CE-020
庫存:
12839603
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EFC6602R-TR 技術規格
類別
場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管, 場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管陣列
製造商
onsemi
包裝
-
系列
-
產品狀態
Obsolete
科技
MOSFET (Metal Oxide)
配置
2 N-Channel (Dual)
FET 特性
Logic Level Gate, 2.5V Drive
漏源電壓 （Vdss）
-
電流 - 連續漏極 （Id） @ 25°C
-
Rds On (Max) @ Id, Vgs
-
Vgs（th） （最大值） @ Id
-
柵極電荷 （Qg） （Max） @ Vgs
55nC @ 4.5V
輸入電容 （Ciss） （Max） @ Vds
-
功率 - 最大值
2W
工作溫度
150°C (TJ)
安裝類型
Surface Mount
包裝 / 外殼
6-XFBGA, FCBGA
供應商設備包
EFCP2718-6CE-020
基本產品編號
EFC6602
資料表及文件
額外資訊
標準套餐
5,000
其他名稱
EFC6602R-TROSDKR
EFC6602R-TR-DG
2156-EFC6602R-TR
EFC6602R-TROSCT
ONSONSEFC6602R-TR
EFC6602R-TROSTR
環境及出口分類
RoHS 狀態
ROHS3 Compliant
濕氣敏感度等級 （MSL）
1 (Unlimited)
REACH 狀態
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI 認證
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