EFC4618R-P-TR
製造商產品編號:

EFC4618R-P-TR

Product Overview

製造商:

onsemi

零件編號:

EFC4618R-P-TR-DG

描述:

MOSFET 2N-CH EFCP1818
详细描述:
Mosfet Array 1.6W Surface Mount EFCP1818-4CC-037

庫存:

12839469
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EFC4618R-P-TR 技術規格

類別
場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管, 場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管陣列
製造商
onsemi
包裝
-
系列
-
產品狀態
Obsolete
科技
MOSFET (Metal Oxide)
配置
2 N-Channel (Dual) Common Drain
FET 特性
Logic Level Gate, 2.5V Drive
漏源電壓 (Vdss)
-
電流 - 連續漏極 (Id) @ 25°C
-
Rds On (Max) @ Id, Vgs
-
Vgs(th) (最大值) @ Id
-
柵極電荷 (Qg) (Max) @ Vgs
25.4nC @ 4.5V
輸入電容 (Ciss) (Max) @ Vds
-
功率 - 最大值
1.6W
工作溫度
150°C (TJ)
安裝類型
Surface Mount
包裝 / 外殼
4-XFBGA, FCBGA
供應商設備包
EFCP1818-4CC-037
基本產品編號
EFC4618

額外資訊

標準套餐
5,000
其他名稱
2156-EFC4618R-P-TR
2156-EFC4618R-P-TR-ONTR-DG
ONSONSEFC4618R-P-TR

環境及出口分類

濕氣敏感度等級 (MSL)
1 (Unlimited)
REACH 狀態
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

替代模型

部件編號
ECH8697R-TL-W
製造商
onsemi
可用數量
7946
部件號碼
ECH8697R-TL-W-DG
單位價格
0.18
替代類型
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