ECH8602M-TL-H
製造商產品編號:

ECH8602M-TL-H

Product Overview

製造商:

onsemi

零件編號:

ECH8602M-TL-H-DG

描述:

MOSFET 2N-CH 30V 6A 8ECH
详细描述:
Mosfet Array 30V 6A 1.5W Surface Mount 8-ECH

庫存:

12837542
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ECH8602M-TL-H 技術規格

類別
場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管, 場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管陣列
製造商
onsemi
包裝
-
系列
-
產品狀態
Obsolete
科技
MOSFET (Metal Oxide)
配置
2 N-Channel (Dual)
FET 特性
Logic Level Gate
漏源電壓 (Vdss)
30V
電流 - 連續漏極 (Id) @ 25°C
6A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
30mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs(th) (最大值) @ Id
-
柵極電荷 (Qg) (Max) @ Vgs
7.5nC @ 4.5V
輸入電容 (Ciss) (Max) @ Vds
-
功率 - 最大值
1.5W
工作溫度
150°C (TJ)
安裝類型
Surface Mount
包裝 / 外殼
8-SMD, Flat Lead
供應商設備包
8-ECH
基本產品編號
ECH8602

額外資訊

標準套餐
3,000
其他名稱
2156-ECH8602M-TL-H
ONSONSECH8602M-TL-H

環境及出口分類

濕氣敏感度等級 (MSL)
1 (Unlimited)
REACH 狀態
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

替代模型

部件編號
ECH8663R-TL-H
製造商
onsemi
可用數量
0
部件號碼
ECH8663R-TL-H-DG
單位價格
0.68
替代類型
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