製造商產品編號:
DTD113E
Product Overview
製造商:
onsemi
零件編號:
DTD113E-DG
描述:
SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
详细描述:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 100 mA 350 mW Through Hole TO-92 (TO-226)
庫存:
25000 全新原裝現貨
12934311
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DTD113E 技術規格
類別
雙極性晶體管 (BJT), 單一預偏壓雙極晶體管
製造商
onsemi
包裝
Bulk
系列
-
產品狀態
Active
晶體管類型
NPN - Pre-Biased
電流 - 集電極 （Ic） （Max）
100 mA
電壓 - 集電極發射極擊穿（最大值）
50 V
電阻器 - 基座 （R1）
1 kOhms
電阻器 - 發射極基極 （R2）
1 kOhms
直流電流增益 （hFE） （最小值） @ Ic， Vce
3 @ 5mA, 10V
Vce 飽和度（最大值） @ Ib， Ic
250mV @ 300µA, 10mA
電流 - 集電極截止（最大值）
500nA
功率 - 最大值
350 mW
年級
-
資格
-
安裝類型
Through Hole
包裝 / 外殼
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
供應商設備包
TO-92 (TO-226)
資料表及文件
數據表
額外資訊
標準套餐
11,539
其他名稱
ONSONSDTD113E
2156-DTD113E
環境及出口分類
RoHS 狀態
RoHS non-compliant
濕氣敏感度等級 （MSL）
1 (Unlimited)
REACH 狀態
REACH Affected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI 認證
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