製造商產品編號:
BD435G
Product Overview
製造商:
onsemi
零件編號:
BD435G-DG
描述:
TRANS NPN 32V 4A TO126
详细描述:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 32 V 4 A 3MHz 36 W Through Hole TO-126
庫存:
12847608
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BD435G 技術規格
類別
雙極性晶體管 (BJT), 單極雙極電晶體
製造商
onsemi
包裝
-
系列
-
產品狀態
Obsolete
晶體管類型
NPN
電流 - 集電極 （Ic） （Max）
4 A
電壓 - 集電極發射極擊穿（最大值）
32 V
Vce 飽和度（最大值） @ Ib， Ic
500mV @ 200mA, 2A
電流 - 集電極截止（最大值）
100µA (ICBO)
直流電流增益 （hFE） （最小值） @ Ic， Vce
85 @ 500mA, 1V
功率 - 最大值
36 W
頻率 - 過渡
3MHz
工作溫度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型
Through Hole
包裝 / 外殼
TO-225AA, TO-126-3
供應商設備包
TO-126
基本產品編號
BD435
資料表及文件
額外資訊
標準套餐
500
其他名稱
ONSONSBD435G
BD435G-DG
2156-BD435G-OS
BD435GOS
環境及出口分類
RoHS 狀態
ROHS3 Compliant
濕氣敏感度等級 （MSL）
1 (Unlimited)
REACH 狀態
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
替代模型
DIGI 認證
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