製造商產品編號:
30C02S-TL-E
Product Overview
製造商:
onsemi
零件編號:
30C02S-TL-E-DG
描述:
BIP NPN 0.6A 30V
详细描述:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 30 V 600 mA 540MHz 200 mW Surface Mount 3-SMCP
庫存:
15000 全新原裝現貨
12953976
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30C02S-TL-E 技術規格
類別
雙極性晶體管 (BJT), 單極雙極電晶體
製造商
onsemi
包裝
Bulk
系列
-
產品狀態
Active
晶體管類型
NPN
電流 - 集電極 （Ic） （Max）
600 mA
電壓 - 集電極發射極擊穿（最大值）
30 V
Vce 飽和度（最大值） @ Ib， Ic
190mV @ 10mA, 200mA
電流 - 集電極截止（最大值）
100nA (ICBO)
直流電流增益 （hFE） （最小值） @ Ic， Vce
300 @ 50mA, 2V
功率 - 最大值
200 mW
頻率 - 過渡
540MHz
工作溫度
150°C (TJ)
年級
-
資格
-
安裝類型
Surface Mount
包裝 / 外殼
SC-75, SOT-416
供應商設備包
3-SMCP
資料表及文件
數據表
額外資訊
標準套餐
6,662
其他名稱
2156-30C02S-TL-E
ONSONS30C02S-TL-E
環境及出口分類
RoHS 狀態
Not applicable
濕氣敏感度等級 （MSL）
1 (Unlimited)
REACH 狀態
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
DIGI 認證
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