製造商產品編號:
2SK4065-DL-1E
Product Overview
製造商:
onsemi
零件編號:
2SK4065-DL-1E-DG
描述:
MOSFET N-CH 75V 100A TO263-2
详细描述:
N-Channel 75 V 100A (Ta) 1.65W (Ta), 90W (Tc) Surface Mount TO-263-2
庫存:
12834398
請求報價
數量
最低限1
最低限1
(*) 是必填的
我們會在24小時內回覆您
我們會在24小時內回覆您
提交
2SK4065-DL-1E 技術規格
類別
場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管, 單個FET，MOSFET
製造商
onsemi
包裝
-
系列
-
產品狀態
Obsolete
FET 類型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源電壓 （Vdss）
75 V
電流 - 連續漏極 （Id） @ 25°C
100A (Ta)
驅動電壓（最大 rds on，最小 rds on）
4V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
6mOhm @ 50A, 10V
Vgs（th） （最大值） @ Id
-
柵極電荷 （Qg） （Max） @ Vgs
220 nC @ 10 V
Vgs （最大值）
±20V
輸入電容 （Ciss） （Max） @ Vds
12200 pF @ 20 V
FET 特性
-
功率耗散（最大值）
1.65W (Ta), 90W (Tc)
工作溫度
150°C (TJ)
安裝類型
Surface Mount
供應商設備包
TO-263-2
包裝 / 外殼
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
基本產品編號
2SK4065
額外資訊
標準套餐
800
環境及出口分類
濕氣敏感度等級 （MSL）
1 (Unlimited)
REACH 狀態
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
替代模型
部件編號
IRFS3307ZTRRPBF
製造商
Infineon Technologies
可用數量
768
部件號碼
IRFS3307ZTRRPBF-DG
單位價格
1.22
替代類型
Similar
部件編號
IPB80N06S4L07ATMA2
製造商
Infineon Technologies
可用數量
3000
部件號碼
IPB80N06S4L07ATMA2-DG
單位價格
0.68
替代類型
Similar
DIGI 認證
相關產品
ATP106-TL-H
MOSFET P-CH 40V 30A ATPAK
BSS138-F085
MOSFET N-CH 50V 220MA SOT23
64-2042
MOSFET N-CH 40V 75A TO262
