製造商產品編號:
2SD863F-AE
Product Overview
製造商:
onsemi
零件編號:
2SD863F-AE-DG
描述:
BIP NPN 1A 50V
详细描述:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 50 V 1 A 150MHz 900 mW Through Hole 3-MP
庫存:
15000 全新原裝現貨
12938350
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2SD863F-AE 技術規格
類別
雙極性晶體管 (BJT), 單極雙極電晶體
製造商
onsemi
包裝
Bulk
系列
-
產品狀態
Active
晶體管類型
NPN
電流 - 集電極 （Ic） （Max）
1 A
電壓 - 集電極發射極擊穿（最大值）
50 V
Vce 飽和度（最大值） @ Ib， Ic
500mV @ 50mA, 500mA
電流 - 集電極截止（最大值）
1µA (ICBO)
直流電流增益 （hFE） （最小值） @ Ic， Vce
160 @ 50mA, 2V
功率 - 最大值
900 mW
頻率 - 過渡
150MHz
工作溫度
150°C (TJ)
年級
-
資格
-
安裝類型
Through Hole
包裝 / 外殼
TO-226-3, TO-92-3 Long Body
供應商設備包
3-MP
資料表及文件
數據表
額外資訊
標準套餐
1,664
其他名稱
ONSONS2SD863F-AE
2156-2SD863F-AE
環境及出口分類
RoHS 狀態
Not applicable
濕氣敏感度等級 （MSL）
1 (Unlimited)
REACH 狀態
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
DIGI 認證
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