製造商產品編號:
2SB817C-1E
Product Overview
製造商:
onsemi
零件編號:
2SB817C-1E-DG
描述:
TRANS PNP 140V 12A TO3P-3L
详细描述:
Bipolar (BJT) Transistor PNP 140 V 12 A 10MHz 120 W Through Hole TO-3P-3L
庫存:
12837070
請求報價
數量
最低限1
最低限1
(*) 是必填的
我們會在24小時內回覆您
我們會在24小時內回覆您
提交
2SB817C-1E 技術規格
類別
雙極性晶體管 (BJT), 單極雙極電晶體
製造商
onsemi
包裝
-
系列
-
產品狀態
Obsolete
晶體管類型
PNP
電流 - 集電極 （Ic） （Max）
12 A
電壓 - 集電極發射極擊穿（最大值）
140 V
Vce 飽和度（最大值） @ Ib， Ic
2V @ 500mA, 5A
電流 - 集電極截止（最大值）
100µA (ICBO)
直流電流增益 （hFE） （最小值） @ Ic， Vce
100 @ 1A, 5V
功率 - 最大值
120 W
頻率 - 過渡
10MHz
工作溫度
150°C (TJ)
安裝類型
Through Hole
包裝 / 外殼
TO-3P-3, SC-65-3
供應商設備包
TO-3P-3L
基本產品編號
2SB817
額外資訊
標準套餐
30
其他名稱
2SB817C-1E-DG
2SB817C-1EOS
環境及出口分類
RoHS 狀態
ROHS3 Compliant
濕氣敏感度等級 （MSL）
1 (Unlimited)
REACH 狀態
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
替代模型
DIGI 認證
相關產品
MMBT2222AT-TP
TRANS NPN 40V 0.6A SOT523
2SC4211-6-TL-E
TRANS NPN 50V 0.15A MCP
BC637RL1G
TRANS NPN 60V 1A TO92