製造商產品編號:
2SB1216T-E
Product Overview
製造商:
onsemi
零件編號:
2SB1216T-E-DG
描述:
TRANS PNP 100V 4A TP
详细描述:
Bipolar (BJT) Transistor PNP 100 V 4 A 130MHz 1 W Through Hole TP
庫存:
12837039
請求報價
數量
最低限1
最低限1
(*) 是必填的
我們會在24小時內回覆您
我們會在24小時內回覆您
提交
2SB1216T-E 技術規格
類別
雙極性晶體管 (BJT), 單極雙極電晶體
製造商
onsemi
包裝
-
系列
-
產品狀態
Obsolete
晶體管類型
PNP
電流 - 集電極 （Ic） （Max）
4 A
電壓 - 集電極發射極擊穿（最大值）
100 V
Vce 飽和度（最大值） @ Ib， Ic
500mV @ 200mA, 2A
電流 - 集電極截止（最大值）
1µA (ICBO)
直流電流增益 （hFE） （最小值） @ Ic， Vce
200 @ 500mA, 5V
功率 - 最大值
1 W
頻率 - 過渡
130MHz
工作溫度
150°C (TJ)
安裝類型
Through Hole
包裝 / 外殼
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
供應商設備包
TP
基本產品編號
2SB1216
資料表及文件
HTML 資料表
資料表
額外資訊
標準套餐
500
其他名稱
ONSONS2SB1216T-E
2156-2SB1216T-E-ON
環境及出口分類
濕氣敏感度等級 （MSL）
1 (Unlimited)
REACH 狀態
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0075
替代模型
DIGI 認證
相關產品
