製造商產品編號:
2SB1167T
Product Overview
製造商:
onsemi
零件編號:
2SB1167T-DG
描述:
POWER BIPOLAR TRANSISTOR, PNP
详细描述:
Bipolar (BJT) Transistor PNP 100 V 3 A 130MHz 1.2 W Through Hole TO-126LP
庫存:
158205 全新原裝現貨
12931641
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2SB1167T 技術規格
類別
雙極性晶體管 (BJT), 單極雙極電晶體
製造商
onsemi
包裝
Bulk
系列
-
產品狀態
Active
晶體管類型
PNP
電流 - 集電極 （Ic） （Max）
3 A
電壓 - 集電極發射極擊穿（最大值）
100 V
Vce 飽和度（最大值） @ Ib， Ic
500mV @ 150mA, 1.5A
電流 - 集電極截止（最大值）
1µA (ICBO)
直流電流增益 （hFE） （最小值） @ Ic， Vce
200 @ 500mA, 5V
功率 - 最大值
1.2 W
頻率 - 過渡
130MHz
工作溫度
150°C (TJ)
年級
-
資格
-
安裝類型
Through Hole
包裝 / 外殼
TO-225AA, TO-126-3
供應商設備包
TO-126LP
資料表及文件
數據表
額外資訊
標準套餐
951
其他名稱
2156-2SB1167T
ONSONS2SB1167T
環境及出口分類
RoHS 狀態
ROHS3 Compliant
濕氣敏感度等級 （MSL）
1 (Unlimited)
REACH 狀態
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0075
DIGI 認證
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