2N7000TA
製造商產品編號:

2N7000TA

Product Overview

製造商:

onsemi

零件編號:

2N7000TA-DG

描述:

MOSFET N-CH 60V 200MA TO92-3
详细描述:
N-Channel 60 V 200mA (Tc) 400mW (Ta) Through Hole TO-92-3

庫存:

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2N7000TA 技術規格

類別
場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管, 單個FET，MOSFET
製造商
onsemi
包裝
Tape & Box (TB)
系列
-
產品狀態
Active
FET 類型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源電壓 （Vdss）
60 V
電流 - 連續漏極 （Id） @ 25°C
200mA (Tc)
驅動電壓（最大 rds on，最小 rds on）
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
5Ohm @ 500mA, 10V
Vgs（th） （最大值） @ Id
3V @ 1mA
Vgs （最大值）
±20V
輸入電容 （Ciss） （Max） @ Vds
50 pF @ 25 V
FET 特性
-
功率耗散（最大值）
400mW (Ta)
工作溫度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型
Through Hole
供應商設備包
TO-92-3
包裝 / 外殼
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
基本產品編號
2N7000

資料表及文件

數據表
2N7000 Datasheet

額外資訊

標準套餐
2,000
其他名稱
2N7000TATB
2N7000TATR
2N7000TACT
2N7000TA_T
2N7000TA-DG
2N7000TATR-DG

環境及出口分類

RoHS 狀態
ROHS3 Compliant
濕氣敏感度等級 （MSL）
Not Applicable
REACH 狀態
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095

替代模型

部件編號
VN10LP
製造商
Diodes Incorporated
可用數量
5433
部件號碼
VN10LP-DG
單位價格
0.26
替代類型
Similar
部件編號
VN10LPSTZ
製造商
Diodes Incorporated
可用數量
0
部件號碼
VN10LPSTZ-DG
單位價格
0.27
替代類型
Similar
部件編號
2N7000
製造商
Diotec Semiconductor
可用數量
146004
部件號碼
2N7000-DG
單位價格
0.03
替代類型
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DIGI 認證
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
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