製造商產品編號:
PHE13009/DG,127
Product Overview
製造商:
NXP USA Inc.
零件編號:
PHE13009/DG,127-DG
描述:
NOW WEEN - PHE13009 - POWER BIPO
详细描述:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 400 V 12 A 80 W Through Hole TO-220AB
庫存:
3680 全新原裝現貨
12947849
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PHE13009/DG,127 技術規格
類別
雙極性晶體管 (BJT), 單極雙極電晶體
製造商
NXP Semiconductors
包裝
Bulk
系列
-
產品狀態
Active
晶體管類型
NPN
電流 - 集電極 （Ic） （Max）
12 A
電壓 - 集電極發射極擊穿（最大值）
400 V
Vce 飽和度（最大值） @ Ib， Ic
2V @ 1.6A, 8A
電流 - 集電極截止（最大值）
100µA
直流電流增益 （hFE） （最小值） @ Ic， Vce
8 @ 5A, 5V
功率 - 最大值
80 W
頻率 - 過渡
-
工作溫度
150°C (TJ)
安裝類型
Through Hole
包裝 / 外殼
TO-220-3
供應商設備包
TO-220AB
資料表及文件
額外資訊
標準套餐
912
其他名稱
WENNXPPHE13009/DG,127
2156-PHE13009/DG,127
環境及出口分類
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI 認證
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