製造商產品編號:
PHE13003A126
Product Overview
製造商:
NXP USA Inc.
零件編號:
PHE13003A126-DG
描述:
NOW WEEN - PHE13003A - POWER BIP
详细描述:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 400 V 1 A 2.1 W Through Hole TO-92-3
庫存:
12947564
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PHE13003A126 技術規格
類別
雙極性晶體管 (BJT), 單極雙極電晶體
製造商
NXP Semiconductors
包裝
-
系列
-
產品狀態
Active
晶體管類型
NPN
電流 - 集電極 （Ic） （Max）
1 A
電壓 - 集電極發射極擊穿（最大值）
400 V
Vce 飽和度（最大值） @ Ib， Ic
1.5V @ 250mA, 750mA
電流 - 集電極截止（最大值）
1mA
直流電流增益 （hFE） （最小值） @ Ic， Vce
10 @ 400mA, 5V
功率 - 最大值
2.1 W
頻率 - 過渡
-
工作溫度
150°C (TJ)
安裝類型
Through Hole
包裝 / 外殼
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
供應商設備包
TO-92-3
資料表及文件
額外資訊
標準套餐
4,609
其他名稱
WENNXPPHE13003A126
2156-PHE13003A126
環境及出口分類
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI 認證
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