PHE13003A126
製造商產品編號:

PHE13003A126

Product Overview

製造商:

NXP USA Inc.

零件編號:

PHE13003A126-DG

描述:

NOW WEEN - PHE13003A - POWER BIP
详细描述:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 400 V 1 A 2.1 W Through Hole TO-92-3

庫存:

12947564
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PHE13003A126 技術規格

類別
雙極性晶體管 (BJT), 單極雙極電晶體
製造商
NXP Semiconductors
包裝
-
系列
-
產品狀態
Active
晶體管類型
NPN
電流 - 集電極 (Ic) (Max)
1 A
電壓 - 集電極發射極擊穿(最大值)
400 V
Vce 飽和度(最大值) @ Ib, Ic
1.5V @ 250mA, 750mA
電流 - 集電極截止(最大值)
1mA
直流電流增益 (hFE) (最小值) @ Ic, Vce
10 @ 400mA, 5V
功率 - 最大值
2.1 W
頻率 - 過渡
-
工作溫度
150°C (TJ)
安裝類型
Through Hole
包裝 / 外殼
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
供應商設備包
TO-92-3

資料表及文件

額外資訊

標準套餐
4,609
其他名稱
WENNXPPHE13003A126
2156-PHE13003A126

環境及出口分類

ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI 認證
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