製造商產品編號:
PEMD19,115
Product Overview
製造商:
NXP Semiconductors
零件編號:
PEMD19,115-DG
描述:
NEXPERIA PEMD19 - SMALL SIGNAL B
详细描述:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 300mW Surface Mount SOT-666
庫存:
12000 全新原裝現貨
12996706
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PEMD19,115 技術規格
類別
雙極性晶體管 (BJT), 雙極性晶體管陣列，預偏置
製造商
NXP Semiconductors
包裝
Bulk
系列
-
產品狀態
Active
晶體管類型
1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
電流 - 集電極 （Ic） （Max）
100mA
電壓 - 集電極發射極擊穿（最大值）
50V
電阻器 - 基座 （R1）
22kOhms
電阻器 - 發射極基極 （R2）
-
直流電流增益 （hFE） （最小值） @ Ic， Vce
100 @ 1mA, 5V
Vce 飽和度（最大值） @ Ib， Ic
150mV @ 500µA, 10mA
電流 - 集電極截止（最大值）
1µA
頻率 - 過渡
-
功率 - 最大值
300mW
安裝類型
Surface Mount
包裝 / 外殼
SOT-563, SOT-666
供應商設備包
SOT-666
資料表及文件
數據表
額外資訊
標準套餐
6,772
其他名稱
2156-PEMD19,115-954
環境及出口分類
濕氣敏感度等級 （MSL）
1 (Unlimited)
REACH 狀態
REACH Unaffected
DIGI 認證
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