PEMB1,115
製造商產品編號:

PEMB1,115

Product Overview

製造商:

NXP USA Inc.

零件編號:

PEMB1,115-DG

描述:

NOW NEXPERIA PEMB1 - SMALL SIGNA
详细描述:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 300mW Surface Mount SOT-666

庫存:

62840 全新原裝現貨
12947874
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PEMB1,115 技術規格

類別
雙極性晶體管 (BJT), 雙極性晶體管陣列,預偏置
製造商
NXP Semiconductors
包裝
Bulk
系列
-
產品狀態
Active
晶體管類型
2 PNP - Pre-Biased (Dual)
電流 - 集電極 (Ic) (Max)
100mA
電壓 - 集電極發射極擊穿(最大值)
50V
電阻器 - 基座 (R1)
22kOhms
電阻器 - 發射極基極 (R2)
22kOhms
直流電流增益 (hFE) (最小值) @ Ic, Vce
60 @ 5mA, 5V
Vce 飽和度(最大值) @ Ib, Ic
150mV @ 500µA, 10mA
電流 - 集電極截止(最大值)
1µA
頻率 - 過渡
-
功率 - 最大值
300mW
安裝類型
Surface Mount
包裝 / 外殼
SOT-563, SOT-666
供應商設備包
SOT-666
基本產品編號
PEMB1

資料表及文件

額外資訊

標準套餐
6,772
其他名稱
NEXNXPPEMB1,115
2156-PEMB1,115

環境及出口分類

ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI 認證
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