製造商產品編號:
PDTD114EQA147
Product Overview
製造商:
NXP USA Inc.
零件編號:
PDTD114EQA147-DG
描述:
TRANS PREBIAS
详细描述:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 500 mA 210 MHz 940 mW Surface Mount DFN1010D-3
庫存:
12968602
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PDTD114EQA147 技術規格
類別
雙極性晶體管 (BJT), 單一預偏壓雙極晶體管
製造商
NXP Semiconductors
包裝
-
系列
PDTD114EQA
產品狀態
Active
晶體管類型
NPN - Pre-Biased
電流 - 集電極 （Ic） （Max）
500 mA
電壓 - 集電極發射極擊穿（最大值）
50 V
電阻器 - 基座 （R1）
10 kOhms
電阻器 - 發射極基極 （R2）
10 kOhms
直流電流增益 （hFE） （最小值） @ Ic， Vce
70 @ 50mA, 5V
Vce 飽和度（最大值） @ Ib， Ic
100mV @ 2.5mA, 50mA
電流 - 集電極截止（最大值）
500nA
頻率 - 過渡
210 MHz
功率 - 最大值
940 mW
年級
Automotive
資格
AEC-Q101
安裝類型
Surface Mount
包裝 / 外殼
3-XDFN Exposed Pad
供應商設備包
DFN1010D-3
資料表及文件
額外資訊
標準套餐
8,219
其他名稱
2156-PDTD114EQA147
NEXNXPPDTD114EQA147
環境及出口分類
RoHS 狀態
Not applicable
濕氣敏感度等級 （MSL）
1 (Unlimited)
REACH 狀態
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
DIGI 認證
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