製造商產品編號:
NTE2018
Product Overview
製造商:
NTE Electronics, Inc
零件編號:
NTE2018-DG
描述:
IC-8 CHAN CMOS/TTL DR 18-PIN DIP
详细描述:
Bipolar (BJT) Transistor Array 8 NPN Darlington 50V 600mA 1W Through Hole 18-PDIP
庫存:
22 全新原裝現貨
12950372
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NTE2018 技術規格
類別
雙極性晶體管 (BJT), 雙極型晶體管陣列
製造商
包裝
Bag
系列
-
產品狀態
Active
晶體管類型
8 NPN Darlington
電流 - 集電極 （Ic） （Max）
600mA
電壓 - 集電極發射極擊穿（最大值）
50V
Vce 飽和度（最大值） @ Ib， Ic
1.6V @ 350mA, 500A
直流電流增益 （hFE） （最小值） @ Ic， Vce
-
功率 - 最大值
1W
頻率 - 過渡
-
工作溫度
-20°C ~ 85°C (TA)
安裝類型
Through Hole
包裝 / 外殼
18-DIP (0.300", 7.62mm)
供應商設備包
18-PDIP
基本產品編號
NTE20
資料表及文件
數據表
額外資訊
標準套餐
1
其他名稱
2368-NTE2018
環境及出口分類
RoHS 狀態
ROHS3 Compliant
濕氣敏感度等級 （MSL）
1 (Unlimited)
REACH 狀態
REACH info available upon request
ECCN
EAR99
HTSUS
8542.31.0000
DIGI 認證
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