製造商產品編號:
PSMN6R3-120ESQ
Product Overview
製造商:
Nexperia USA Inc.
零件編號:
PSMN6R3-120ESQ-DG
描述:
MOSFET N-CH 120V 70A I2PAK
详细描述:
N-Channel 120 V 70A (Tc) 405W (Tc) Through Hole I2PAK
庫存:
12829142
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PSMN6R3-120ESQ 技術規格
類別
場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管, 單個FET，MOSFET
製造商
Nexperia
包裝
-
系列
-
產品狀態
Obsolete
FET 類型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源電壓 （Vdss）
120 V
電流 - 連續漏極 （Id） @ 25°C
70A (Tc)
驅動電壓（最大 rds on，最小 rds on）
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
6.7mOhm @ 25A, 10V
Vgs（th） （最大值） @ Id
4V @ 250µA
柵極電荷 （Qg） （Max） @ Vgs
207.1 nC @ 10 V
Vgs （最大值）
±20V
輸入電容 （Ciss） （Max） @ Vds
11384 pF @ 60 V
FET 特性
-
功率耗散（最大值）
405W (Tc)
工作溫度
-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型
Through Hole
供應商設備包
I2PAK
包裝 / 外殼
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
資料表及文件
額外資訊
標準套餐
50
其他名稱
934067856127
1727-1508
568-10988-5-DG
2156-PSMN6R3-120ESQ
568-10988-5
PSMN6R3-120ESQ-DG
環境及出口分類
RoHS 狀態
ROHS3 Compliant
濕氣敏感度等級 （MSL）
1 (Unlimited)
REACH 狀態
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
替代模型
部件編號
IPI075N15N3GXKSA1
製造商
Infineon Technologies
可用數量
498
部件號碼
IPI075N15N3GXKSA1-DG
單位價格
2.99
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