PSMN6R3-120ESQ
製造商產品編號:

PSMN6R3-120ESQ

Product Overview

製造商:

Nexperia USA Inc.

零件編號:

PSMN6R3-120ESQ-DG

描述:

MOSFET N-CH 120V 70A I2PAK
详细描述:
N-Channel 120 V 70A (Tc) 405W (Tc) Through Hole I2PAK

庫存:

12829142
請求報價
數量
最低限1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) 是必填的
我們會在24小時內回覆您
提交

PSMN6R3-120ESQ 技術規格

類別
場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管, 單個FET,MOSFET
製造商
Nexperia
包裝
-
系列
-
產品狀態
Obsolete
FET 類型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源電壓 (Vdss)
120 V
電流 - 連續漏極 (Id) @ 25°C
70A (Tc)
驅動電壓(最大 rds on,最小 rds on)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
6.7mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (最大值) @ Id
4V @ 250µA
柵極電荷 (Qg) (Max) @ Vgs
207.1 nC @ 10 V
Vgs (最大值)
±20V
輸入電容 (Ciss) (Max) @ Vds
11384 pF @ 60 V
FET 特性
-
功率耗散(最大值)
405W (Tc)
工作溫度
-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型
Through Hole
供應商設備包
I2PAK
包裝 / 外殼
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA

資料表及文件

額外資訊

標準套餐
50
其他名稱
934067856127
1727-1508
568-10988-5-DG
2156-PSMN6R3-120ESQ
568-10988-5
PSMN6R3-120ESQ-DG

環境及出口分類

RoHS 狀態
ROHS3 Compliant
濕氣敏感度等級 (MSL)
1 (Unlimited)
REACH 狀態
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

替代模型

部件編號
AOW2500
製造商
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
可用數量
0
部件號碼
AOW2500-DG
單位價格
1.96
替代類型
Similar
部件編號
IPI075N15N3GXKSA1
製造商
Infineon Technologies
可用數量
498
部件號碼
IPI075N15N3GXKSA1-DG
單位價格
2.99
替代類型
Similar
部件編號
IPI076N15N5AKSA1
製造商
Infineon Technologies
可用數量
455
部件號碼
IPI076N15N5AKSA1-DG
單位價格
2.48
替代類型
Similar
DIGI 認證
相關產品
nexperia

PMPB15XP,115

MOSFET P-CH 12V 8.2A DFN2020MD-6

nexperia

PSMN025-100D,118

MOSFET N-CH 100V 47A DPAK

nexperia

BUK9637-100E,118

MOSFET N-CH 100V 31A D2PAK

nexperia

BUK7905-40ATE,127

MOSFET N-CH 40V 75A TO220-5