製造商產品編號:
PHB18NQ10T,118
Product Overview
製造商:
Nexperia USA Inc.
零件編號:
PHB18NQ10T,118-DG
描述:
MOSFET N-CH 100V 18A D2PAK
详细描述:
N-Channel 100 V 18A (Tc) 79W (Tc) Surface Mount D2PAK
庫存:
12831556
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PHB18NQ10T,118 技術規格
類別
場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管, 單個FET，MOSFET
製造商
Nexperia
包裝
-
系列
TrenchMOS™
產品狀態
Obsolete
FET 類型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源電壓 （Vdss）
100 V
電流 - 連續漏極 （Id） @ 25°C
18A (Tc)
驅動電壓（最大 rds on，最小 rds on）
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
90mOhm @ 9A, 10V
Vgs（th） （最大值） @ Id
4V @ 1mA
柵極電荷 （Qg） （Max） @ Vgs
21 nC @ 10 V
Vgs （最大值）
±20V
輸入電容 （Ciss） （Max） @ Vds
633 pF @ 25 V
FET 特性
-
功率耗散（最大值）
79W (Tc)
工作溫度
-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型
Surface Mount
供應商設備包
D2PAK
包裝 / 外殼
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
基本產品編號
PHB18NQ10
資料表及文件
額外資訊
標準套餐
800
其他名稱
934055699118
PHB18NQ10T /T3
PHB18NQ10T /T3-DG
環境及出口分類
RoHS 狀態
ROHS3 Compliant
濕氣敏感度等級 （MSL）
1 (Unlimited)
REACH 狀態
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
替代模型
部件編號
IRF530NSTRLPBF
製造商
Infineon Technologies
可用數量
7118
部件號碼
IRF530NSTRLPBF-DG
單位價格
0.44
替代類型
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