製造商產品編號:
PEMD6,115
Product Overview
製造商:
Nexperia USA Inc.
零件編號:
PEMD6,115-DG
描述:
TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT666
详细描述:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 300mW Surface Mount SOT-666
庫存:
4000 全新原裝現貨
12831971
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PEMD6,115 技術規格
類別
雙極性晶體管 (BJT), 雙極性晶體管陣列，預偏置
製造商
Nexperia
包裝
Tape & Reel (TR)
系列
-
產品狀態
Not For New Designs
晶體管類型
1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
電流 - 集電極 （Ic） （Max）
100mA
電壓 - 集電極發射極擊穿（最大值）
50V
電阻器 - 基座 （R1）
4.7kOhms
電阻器 - 發射極基極 （R2）
-
直流電流增益 （hFE） （最小值） @ Ic， Vce
200 @ 1mA, 5V
Vce 飽和度（最大值） @ Ib， Ic
100mV @ 250µA, 5mA
電流 - 集電極截止（最大值）
1µA
頻率 - 過渡
-
功率 - 最大值
300mW
安裝類型
Surface Mount
包裝 / 外殼
SOT-563, SOT-666
供應商設備包
SOT-666
基本產品編號
PEMD6
資料表及文件
額外資訊
標準套餐
4,000
其他名稱
1727-PEMD6,115DKR
PEMD6 T/R
PEMD6 T/R-DG
PEMD6,115-DG
1727-PEMD6,115TR
934056709115
2166-PEMD6,115-1727
1727-PEMD6,115CT
5202-PEMD6,115TR
環境及出口分類
RoHS 狀態
ROHS3 Compliant
濕氣敏感度等級 （MSL）
1 (Unlimited)
REACH 狀態
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
替代模型
部件編號
RN4990FE,LF(CT
製造商
Toshiba Semiconductor and Storage
可用數量
0
部件號碼
RN4990FE,LF(CT-DG
單位價格
0.02
替代類型
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RN1910FE,LF(CT
製造商
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單位價格
0.02
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