製造商產品編號:
NXV55UNR
Product Overview
製造商:
Nexperia USA Inc.
零件編號:
NXV55UNR-DG
描述:
NXV55UN/SOT23/TO-236AB
详细描述:
N-Channel 30 V 1.9A (Ta) 340mW (Ta), 2.1W (Tc) Surface Mount TO-236AB
庫存:
29503 全新原裝現貨
12950091
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NXV55UNR 技術規格
類別
場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管, 單個FET，MOSFET
製造商
Nexperia
包裝
Tape & Reel (TR)
系列
TrenchMOS™
產品狀態
Active
FET 類型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源電壓 （Vdss）
30 V
電流 - 連續漏極 （Id） @ 25°C
1.9A (Ta)
驅動電壓（最大 rds on，最小 rds on）
1.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
66mOhm @ 1.9A, 4.5V
Vgs（th） （最大值） @ Id
900mV @ 250µA
柵極電荷 （Qg） （Max） @ Vgs
8.7 nC @ 4.5 V
Vgs （最大值）
±8V
輸入電容 （Ciss） （Max） @ Vds
352 pF @ 15 V
FET 特性
-
功率耗散（最大值）
340mW (Ta), 2.1W (Tc)
工作溫度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型
Surface Mount
供應商設備包
TO-236AB
包裝 / 外殼
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
資料表及文件
額外資訊
標準套餐
3,000
其他名稱
1727-NXV55UNRCT
934661664215
5202-NXV55UNRTR
1727-NXV55UNRTR
1727-NXV55UNRDKR
環境及出口分類
RoHS 狀態
ROHS3 Compliant
濕氣敏感度等級 （MSL）
1 (Unlimited)
REACH 狀態
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI 認證
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