製造商產品編號:
JAN2N7334
Product Overview
製造商:
Microsemi Corporation
零件編號:
JAN2N7334-DG
描述:
MOSFET 4N-CH 100V 1A MO-036AB
详细描述:
Mosfet Array 100V 1A 1.4W Through Hole MO-036AB
庫存:
12929658
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JAN2N7334 技術規格
類別
場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管, 場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管陣列
製造商
Microsemi
包裝
-
系列
-
產品狀態
Active
科技
MOSFET (Metal Oxide)
配置
4 N-Channel
FET 特性
-
漏源電壓 （Vdss）
100V
電流 - 連續漏極 （Id） @ 25°C
1A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
700mOhm @ 600mA, 10V
Vgs（th） （最大值） @ Id
4V @ 250µA
柵極電荷 （Qg） （Max） @ Vgs
60nC @ 10V
輸入電容 （Ciss） （Max） @ Vds
-
功率 - 最大值
1.4W
工作溫度
-55°C ~ 150°C (TJ)
年級
Military
資格
MIL-PRF-19500/597
安裝類型
Through Hole
包裝 / 外殼
14-DIP (0.300", 7.62mm)
供應商設備包
MO-036AB
基本產品編號
2N733
資料表及文件
數據表
額外資訊
標準套餐
1
其他名稱
JAN2N7334-MIL
150-JAN2N7334
JAN2N7334-DG
環境及出口分類
RoHS 狀態
RoHS non-compliant
濕氣敏感度等級 （MSL）
1 (Unlimited)
REACH 狀態
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI 認證
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