製造商產品編號:
JAN2N6798U
Product Overview
製造商:
Microsemi Corporation
零件編號:
JAN2N6798U-DG
描述:
MOSFET N-CH 200V 5.5A 18ULCC
详细描述:
N-Channel 200 V 5.5A (Tc) 800mW (Ta), 25W (Tc) Surface Mount 18-ULCC (9.14x7.49)
庫存:
12928307
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JAN2N6798U 技術規格
類別
場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管, 單個FET，MOSFET
製造商
Microsemi
包裝
-
系列
-
產品狀態
Obsolete
FET 類型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源電壓 （Vdss）
200 V
電流 - 連續漏極 （Id） @ 25°C
5.5A (Tc)
驅動電壓（最大 rds on，最小 rds on）
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
420mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs（th） （最大值） @ Id
4V @ 250µA
柵極電荷 （Qg） （Max） @ Vgs
42.07 nC @ 10 V
Vgs （最大值）
±20V
FET 特性
-
功率耗散（最大值）
800mW (Ta), 25W (Tc)
工作溫度
-55°C ~ 150°C (TJ)
年級
Military
資格
MIL-PRF-19500/557
安裝類型
Surface Mount
供應商設備包
18-ULCC (9.14x7.49)
包裝 / 外殼
18-CLCC
額外資訊
標準套餐
1
其他名稱
150-JAN2N6798U
JAN2N6798U-DG
JAN2N6798U-MIL
環境及出口分類
RoHS 狀態
RoHS non-compliant
濕氣敏感度等級 （MSL）
1 (Unlimited)
REACH 狀態
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI 認證
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