製造商產品編號:
JAN2N6768
Product Overview
製造商:
Microsemi Corporation
零件編號:
JAN2N6768-DG
描述:
MOSFET N-CH 400V 14A TO204AE
详细描述:
N-Channel 400 V 14A (Tc) 4W (Ta), 150W (Tc) Through Hole
庫存:
12954390
請求報價
數量
最低限1
最低限1
(*) 是必填的
我們會在24小時內回覆您
我們會在24小時內回覆您
提交
JAN2N6768 技術規格
類別
場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管, 單個FET，MOSFET
製造商
Microsemi
包裝
-
系列
-
產品狀態
Obsolete
FET 類型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源電壓 （Vdss）
400 V
電流 - 連續漏極 （Id） @ 25°C
14A (Tc)
驅動電壓（最大 rds on，最小 rds on）
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
400mOhm @ 14A, 10V
Vgs（th） （最大值） @ Id
4V @ 250µA
柵極電荷 （Qg） （Max） @ Vgs
110 nC @ 10 V
Vgs （最大值）
±20V
FET 特性
-
功率耗散（最大值）
4W (Ta), 150W (Tc)
工作溫度
-55°C ~ 150°C (TJ)
年級
Military
資格
MIL-PRF-19500/543
安裝類型
Through Hole
包裝 / 外殼
TO-204AE
資料表及文件
數據表
額外資訊
標準套餐
1
其他名稱
150-JAN2N6768
JAN2N6768-MIL
JAN2N6768-DG
環境及出口分類
RoHS 狀態
RoHS non-compliant
濕氣敏感度等級 （MSL）
1 (Unlimited)
REACH 狀態
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI 認證
相關產品
2SK3105-T1B-A
SMALL SIGNAL FET
AOK125A60
MOSFET N-CH 600V 28A TO247
SUD06N10-225L-GE3
MOSFET N-CH 100V 6.5A TO252AA
