製造商產品編號:
APT6030BN
Product Overview
製造商:
Microsemi Corporation
零件編號:
APT6030BN-DG
描述:
MOSFET N-CH 600V 23A TO247AD
详细描述:
N-Channel 600 V 23A (Tc) 360W (Tc) Through Hole TO-247AD
庫存:
13256204
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APT6030BN 技術規格
類別
場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管, 單個FET，MOSFET
製造商
Microsemi
包裝
-
系列
POWER MOS IV®
產品狀態
Obsolete
FET 類型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源電壓 （Vdss）
600 V
電流 - 連續漏極 （Id） @ 25°C
23A (Tc)
驅動電壓（最大 rds on，最小 rds on）
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
300mOhm @ 11.5A, 10V
Vgs（th） （最大值） @ Id
4V @ 1mA
柵極電荷 （Qg） （Max） @ Vgs
210 nC @ 10 V
Vgs （最大值）
±30V
輸入電容 （Ciss） （Max） @ Vds
3500 pF @ 25 V
FET 特性
-
功率耗散（最大值）
360W (Tc)
工作溫度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型
Through Hole
供應商設備包
TO-247AD
包裝 / 外殼
TO-247-3
額外資訊
標準套餐
30
其他名稱
150-APT6030BN
APT6030BN-ND
環境及出口分類
濕氣敏感度等級 （MSL）
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
替代模型
DIGI 認證
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