APT20M22B2VRG
製造商產品編號:

APT20M22B2VRG

Product Overview

製造商:

Microsemi Corporation

零件編號:

APT20M22B2VRG-DG

描述:

MOSFET N-CH 200V 100A T-MAX
详细描述:
N-Channel 200 V 100A (Tc) 520W (Tc) Through Hole T-MAX™ [B2]

庫存:

13254881
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APT20M22B2VRG 技術規格

類別
場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管, 單個FET,MOSFET
製造商
Microsemi
包裝
-
系列
POWER MOS V®
產品狀態
Obsolete
FET 類型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源電壓 (Vdss)
200 V
電流 - 連續漏極 (Id) @ 25°C
100A (Tc)
驅動電壓(最大 rds on,最小 rds on)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
22mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (最大值) @ Id
4V @ 2.5mA
柵極電荷 (Qg) (Max) @ Vgs
435 nC @ 10 V
Vgs (最大值)
±30V
輸入電容 (Ciss) (Max) @ Vds
10200 pF @ 25 V
FET 特性
-
功率耗散(最大值)
520W (Tc)
工作溫度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型
Through Hole
供應商設備包
T-MAX™ [B2]
包裝 / 外殼
TO-247-3 Variant

資料表及文件

額外資訊

標準套餐
1
其他名稱
APT20M22B2VRG-ND
150-APT20M22B2VRG

環境及出口分類

濕氣敏感度等級 (MSL)
1 (Unlimited)
REACH 狀態
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

替代模型

部件編號
IXTQ120N20P
製造商
IXYS
可用數量
0
部件號碼
IXTQ120N20P-DG
單位價格
6.73
替代類型
Similar
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IXFH120N20P
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可用數量
188
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