製造商產品編號:
2N5011
Product Overview
製造商:
Microsemi Corporation
零件編號:
2N5011-DG
描述:
NPN SILICON TRANSISTOR
详细描述:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 600 V 200 mA 1 W Through Hole TO-5AA
庫存:
13251752
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2N5011 技術規格
類別
雙極性晶體管 (BJT), 單極雙極電晶體
製造商
Microsemi
包裝
Bulk
系列
-
產品狀態
Active
晶體管類型
NPN
電流 - 集電極 （Ic） （Max）
200 mA
電壓 - 集電極發射極擊穿（最大值）
600 V
Vce 飽和度（最大值） @ Ib， Ic
1.5V @ 5mA, 25mA
電流 - 集電極截止（最大值）
10nA (ICBO)
直流電流增益 （hFE） （最小值） @ Ic， Vce
30 @ 25mA, 10V
功率 - 最大值
1 W
頻率 - 過渡
-
工作溫度
-65°C ~ 200°C (TJ)
安裝類型
Through Hole
包裝 / 外殼
TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
供應商設備包
TO-5AA
資料表及文件
額外資訊
標準套餐
1
其他名稱
150-2N5011
2N5011-ND
環境及出口分類
RoHS 狀態
RoHS non-compliant
REACH 狀態
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI 認證
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