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常見問題
製造商產品編號:
IXTU1R4N60P
Product Overview
製造商:
IXYS
零件編號:
IXTU1R4N60P-DG
描述:
MOSFET N-CH 600V 1.4A TO251
详细描述:
N-Channel 600 V 1.4A (Tc) 50W (Tc) Through Hole TO-251AA
庫存:
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IXTU1R4N60P 技術規格
類別
場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管, 單個FET,MOSFET
製造商
Littelfuse
包裝
-
系列
PolarHV™
產品狀態
Obsolete
FET 類型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源電壓 (Vdss)
600 V
電流 - 連續漏極 (Id) @ 25°C
1.4A (Tc)
驅動電壓(最大 rds on,最小 rds on)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
9Ohm @ 700mA, 10V
Vgs(th) (最大值) @ Id
5.5V @ 25µA
柵極電荷 (Qg) (Max) @ Vgs
5.2 nC @ 10 V
Vgs (最大值)
±30V
輸入電容 (Ciss) (Max) @ Vds
140 pF @ 25 V
FET 特性
-
功率耗散(最大值)
50W (Tc)
工作溫度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型
Through Hole
供應商設備包
TO-251AA
包裝 / 外殼
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
基本產品編號
IXTU1
資料表及文件
數據表
Building, Home Automation Appl Guide
額外資訊
標準套餐
75
環境及出口分類
濕氣敏感度等級 (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
替代模型
部件編號
STD1NK60-1
製造商
STMicroelectronics
可用數量
5751
部件號碼
STD1NK60-1-DG
單位價格
0.38
替代類型
Similar
部件編號
STD2HNK60Z-1
製造商
STMicroelectronics
可用數量
3054
部件號碼
STD2HNK60Z-1-DG
單位價格
0.51
替代類型
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