IXTU01N100D
製造商產品編號:

IXTU01N100D

Product Overview

製造商:

IXYS

零件編號:

IXTU01N100D-DG

描述:

MOSFET N-CH 1000V 400MA TO251
详细描述:
N-Channel 1000 V 400mA (Tc) 1.1W (Ta), 25W (Tc) Through Hole TO-251AA

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IXTU01N100D 技術規格

類別
場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管, 單個FET，MOSFET
製造商
Littelfuse
包裝
-
系列
Depletion
產品狀態
Active
FET 類型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源電壓 （Vdss）
1000 V
電流 - 連續漏極 （Id） @ 25°C
400mA (Tc)
驅動電壓（最大 rds on，最小 rds on）
0V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
80Ohm @ 50mA, 0V
Vgs（th） （最大值） @ Id
4.5V @ 25µA
柵極電荷 （Qg） （Max） @ Vgs
5.8 nC @ 5 V
Vgs （最大值）
±20V
輸入電容 （Ciss） （Max） @ Vds
100 pF @ 25 V
FET 特性
Depletion Mode
功率耗散（最大值）
1.1W (Ta), 25W (Tc)
工作溫度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型
Through Hole
供應商設備包
TO-251AA
包裝 / 外殼
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
基本產品編號
IXTU01

資料表及文件

HTML 資料表
IXTU01N100D-DG
資料表
IXTU01N100D
數據表
IXT(P,U,Y)01N100D

額外資訊

標準套餐
70

環境及出口分類

RoHS 狀態
ROHS3 Compliant
濕氣敏感度等級 （MSL）
1 (Unlimited)
REACH 狀態
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI 認證
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
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