製造商產品編號:
IXTP4N70X2M
Product Overview
製造商:
IXYS
零件編號:
IXTP4N70X2M-DG
描述:
MOSFET N-CH 700V 4A TO220
详细描述:
N-Channel 700 V 4A (Tc) 30W (Tc) Through Hole TO-220 Isolated Tab
庫存:
24 全新原裝現貨
12820827
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IXTP4N70X2M 技術規格
類別
場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管, 單個FET，MOSFET
製造商
Littelfuse
包裝
Tube
系列
Ultra X2
產品狀態
Active
FET 類型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源電壓 （Vdss）
700 V
電流 - 連續漏極 （Id） @ 25°C
4A (Tc)
驅動電壓（最大 rds on，最小 rds on）
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
850mOhm @ 2A, 10V
Vgs（th） （最大值） @ Id
4.5V @ 250µA
柵極電荷 （Qg） （Max） @ Vgs
11.8 nC @ 10 V
Vgs （最大值）
±30V
輸入電容 （Ciss） （Max） @ Vds
386 pF @ 25 V
FET 特性
-
功率耗散（最大值）
30W (Tc)
工作溫度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型
Through Hole
供應商設備包
TO-220 Isolated Tab
包裝 / 外殼
TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
基本產品編號
IXTP4
資料表及文件
額外資訊
標準套餐
50
其他名稱
IXTP4N70X2M-DG
-1402-IXTP4N70X2M
238-IXTP4N70X2M
環境及出口分類
RoHS 狀態
ROHS3 Compliant
濕氣敏感度等級 （MSL）
Not Applicable
REACH 狀態
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
替代模型
部件編號
TK6A60W,S4VX
製造商
Toshiba Semiconductor and Storage
可用數量
45
部件號碼
TK6A60W,S4VX-DG
單位價格
0.84
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Toshiba Semiconductor and Storage
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