IXTP12N65X2
製造商產品編號:

IXTP12N65X2

Product Overview

製造商:

IXYS

零件編號:

IXTP12N65X2-DG

描述:

MOSFET N-CH 650V 12A TO220
详细描述:
N-Channel 650 V 12A (Tc) 180W (Tc) Through Hole TO-220

庫存:

12819715
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IXTP12N65X2 技術規格

類別
場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管, 單個FET,MOSFET
製造商
Littelfuse
包裝
Tube
系列
Ultra X2
產品狀態
Active
FET 類型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源電壓 (Vdss)
650 V
電流 - 連續漏極 (Id) @ 25°C
12A (Tc)
驅動電壓(最大 rds on,最小 rds on)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
300mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th) (最大值) @ Id
5V @ 250µA
柵極電荷 (Qg) (Max) @ Vgs
17 nC @ 10 V
Vgs (最大值)
±30V
輸入電容 (Ciss) (Max) @ Vds
1100 pF @ 25 V
FET 特性
-
功率耗散(最大值)
180W (Tc)
工作溫度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型
Through Hole
供應商設備包
TO-220
包裝 / 外殼
TO-220-3
基本產品編號
IXTP12

資料表及文件

額外資訊

標準套餐
50

環境及出口分類

RoHS 狀態
ROHS3 Compliant
濕氣敏感度等級 (MSL)
1 (Unlimited)
REACH 狀態
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

替代模型

部件編號
STP15N65M5
製造商
STMicroelectronics
可用數量
988
部件號碼
STP15N65M5-DG
單位價格
1.09
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單位價格
2.41
替代類型
Parametric Equivalent
DIGI 認證
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